編者按：本文來自微信公眾號 “半導體產業(yè)縱橫”（ID：ICViews），作者：鵬程，創(chuàng)業(yè)邦經授權轉載。

半導體材料作為芯片制造的“核心糧食”，其純度與性能直接決定集成電路的良率與可靠性。而在這其中大硅片這一關鍵領域，長期以來被日本信越化學、日本 SUMCO（勝高）、德國 Siltronic（世創(chuàng)）等國際廠商牢牢占據主導地位，國內企業(yè)在技術與市場競爭中始終處于跟隨狀態(tài)。

數據顯示，當前，全球 12 英寸（300 mm）硅片市場呈現高度集中格局：日本信越化學、SUMCO，中國臺灣環(huán)球晶圓，德國 Siltronic，韓國 SK 集團五大廠商合計占據超過 85% 的市場份額，尤其在 12 英寸硅片領域，憑借技術積累與產能規(guī)模，形成了絕對的市場統(tǒng)治力。

值得慶幸的是，當前國產大硅片已開啟大規(guī)模擴產進程，有望進一步提升國產化率。

01 12 英寸硅片需求持續(xù)擴張，市場增長潛力強勁

之所以12英寸大硅片受到市場關注，主要在于其能有效降低生產成本——硅片尺寸擴大能有效攤薄單位芯片制造成本。以 8 英寸與 6 英寸硅片為例，8 英寸硅片的面積較 6 英寸提升約 1.78 倍，這意味著單張硅片可產出的芯片數量成倍增加；更關鍵的是，由于硅片邊緣存在平整度不足、缺陷率較高等問題，實際有效利用區(qū)域集中在中間部分，大尺寸硅片的有效制造區(qū)域更大，進一步提升了生產效率與資源利用率。

從產品結構來看，12 英寸拋光片是當前市場的主導產品，廣泛應用于主流半導體器件制造，占據市場主要份額；此外，12 英寸外延片、12 英寸SOI（絕緣體上硅）片、300mm 退火片等高端產品，因具備更優(yōu)異的性能，在對芯片性能要求更高的集成電路制造領域（如高端邏輯芯片、特殊傳感器等）占據一定市場份額，且需求呈逐步增長趨勢。

在下游應用領域，12 英寸硅片的需求來源呈現多元化特征。內存芯片是最大需求端：隨著 5G、云計算、人工智能（AI）技術的快速發(fā)展，對高性能存儲芯片（如高帶寬內存 HBM）的需求持續(xù)激增，直接拉動 12 英寸硅片用量增長；邏輯芯片需求緊隨其后：高性能計算（HPC）、AI 大模型的發(fā)展，推動先進制程邏輯芯片需求提升，進一步擴大 12 英寸硅片應用場景；高端專用芯片需求潛力釋放：除傳統(tǒng)內存與邏輯芯片外，高性能現場可編程門陣列（FPGA）、專用集成電路（ASIC）、圖像處理芯片（GPU/ISP）、通用處理器（CPU）等高端芯片的制造，均高度依賴 12 英寸硅片，成為新增需求的重要來源。

據市場數據預測，全球 12 英寸硅片市場規(guī)模將從 2024 年的 198.3 億美元增長至 2032 年的 371 億美元，期間復合年增長率高達 8.15%。這一強勁的增長預期，核心驅動力來自高性能計算、AI、云計算等領域對先進半導體器件的持續(xù)、大規(guī)模需求。

02 國內外產業(yè)規(guī)模與盈利差距顯著

但是目前，從產能規(guī)模來看，國外頭部廠商的 12 英寸硅片產能均穩(wěn)定在 100 萬片/月以上，且已實現連續(xù)多年穩(wěn)定出貨，產業(yè)鏈協同與生產效率成熟；而國內企業(yè)當前 12 英寸硅片產能的產能規(guī)模與穩(wěn)定性仍有較大提升空間。

盈利水平方面，國外大廠憑借規(guī)模效應、技術優(yōu)勢與成熟供應鏈，綜合毛利率長期保持在 40% 以上，盈利能力強勁；反觀國內 12 英寸硅片企業(yè)，多數仍處于市場拓展與產能爬坡階段，尚未形成穩(wěn)定盈利，部分企業(yè)甚至處于虧損狀態(tài)，盈利能力與國際領先水平差距明顯。

國際市場的 12 英寸硅片早在 2000 年就已進入商業(yè)化階段，經過多年市場競爭與技術迭代，當前產品價格已降至較低水平；而國內企業(yè)直到 2018 年后才逐步推進 12 英寸硅片商業(yè)化，且產能多為新建產線，前期投入成本高、爬坡周期長。有研硅總經理張果虎進一步指出，國內企業(yè)在價格端面臨著巨大的競爭壓力。

最新財務數據也印證了這一現狀。比如，立昂微2025年上半年營業(yè)收入16.66億元，同比增長14.18%，但歸屬于上市公司股東的凈利潤為-1.27億元，上年同期為-6685.64萬元；滬硅產業(yè)2025年第一季度實現營業(yè)總收入8.02億元，同比增長10.60%，但歸母凈利潤虧損2.09億元（上年同期虧損1.98億元），扣非凈利潤虧損2.5億元（上年同期虧損1.86億元），經營活動產生的現金流量凈額為-1.66億元（上年同期為-3.44億元）。

日本信越化學、SUMCO等國際廠商憑借數十年的技術積累、成熟的供應鏈體系與穩(wěn)定的客戶合作關系，在 12 英寸硅片高端市場（如 7nm 及以下制程、SOI 硅片等）形成壟斷格局，且具備極強的規(guī)模效應與盈利能力，短期內難以被撼動。

03 國產12英寸硅片加速擴產，產能與國產化率雙提升

目前國產大硅片產業(yè)仍處于虧損狀態(tài)，主要原因在于半導體硅片行業(yè)屬于資金密集型產業(yè)，面臨較高的固定資產建設投資和折舊壓力，而當前國產 12 英寸硅片正處于加速擴產階段。

面對全球 12 英寸硅片市場的快速增長機遇，國內硅片企業(yè)在政策支持與市場需求的雙重驅動下，紛紛加大投資力度，推進產能擴張，逐步縮小與國際廠商的差距。

鄭州合晶：填補高端大尺寸硅片技術空白

鄭州合晶12 英寸大硅片二期項目目前正在推進潔凈室建設，計劃于 9 月底完成交付。項目投產后，每月將生產 10 萬片 12 英寸硅片，不僅能填補我國在高端大尺寸硅片制造領域的技術空白，還將顯著提升關鍵半導體材料的國產化率，對完善國內集成電路產業(yè)鏈具有重要意義。

資料顯示，2023 年鄭州合晶啟動 12 英寸大硅片晶體成長及外延研發(fā)項目，預計于明年三季度建成。鄭州合晶二期項目由鄭州合晶硅材料有限公司投資建設，該公司成立于 2017 年，由科創(chuàng)板上市公司上海合晶全資持股，注冊資本 21.2 億元，是國內知名的半導體硅片廠商，主要生產單晶硅拋光片、硅襯底片和外延片等，其自主研發(fā)的 12 英寸大硅片廣泛應用于手機、計算機、通信等高端領域。

立昂微：多基地布局，持續(xù)擴大產能

作為半導體硅片生產企業(yè)之一，立昂微近期在 12 英寸硅片領域持續(xù)取得進展。2025 年 2 月，立昂微與嘉興市南湖高新技術產業(yè)園區(qū)管理委員會簽署協議，計劃投資 12.3 億元建設 “年產 96 萬片 12 英寸硅外延片項目”。該項目預計全部建成達產后，將形成年產 96 萬片 12 英寸硅外延片的生產能力，建設周期預計為 5-8 年，且將在立昂微已收購的金瑞泓微電子（嘉興）有限公司廠房內實施。

截至2024年末，立昂微在衢州基地已建成12英寸拋光片（含襯底片）產能15萬片/月、12英寸外延片產能10萬片/月；嘉興基地12英寸拋光片產能已達到15萬片/月。

TCL 中環(huán)（中環(huán)領先）：聚焦 “Power+IC”，沖刺高產能目標

TCL 中環(huán)（中環(huán)領先）是國內硅片代表企業(yè)之一，力爭實現 12 英寸硅片月產能 70 萬片的目標，該產能主要集中在宜興工廠。宜興工廠定位為 “Power+IC” 雙產品路線的 12 英寸硅片研發(fā)制造中心，將為國內硅片產能提升提供重要支撐。

有研硅：增資擴產 + 研產布局，提升核心競爭力

有研硅通過增資、研發(fā)與產業(yè)化布局，持續(xù)提升 12 英寸硅片競爭力。2024 年 12 月 30 日，有研硅股東大會通過向參股公司有研艾斯增資暨關聯交易的議案，公司擬以自有資金向有研艾斯增資 3.8 億元。本次交易完成后，有研硅將持有有研艾斯 28.11% 的股權。

有研艾斯目前12英寸硅片產能為10萬片/月，計劃在增資完成后將產能提升至15萬片/月。此外，有研艾斯還在北京順義及山東德州進行研發(fā)和產業(yè)布局：在北京建成國內一流的12英寸硅片研發(fā)中心，在山東德州開展產業(yè)化建設，設計產能達到30萬片/月，技術水平可滿足28nm及更先進制程集成電路產業(yè)需求。

中欣晶圓：銷量突破里程碑，產能迎來跨越式增長

2025年5月，中欣晶圓所有產品合計月銷售量歷史性突破100萬片，近五年復合增長率保持32%的高速增長。隨著麗水12英寸拋光項目順利通線，未來中欣晶圓12英寸硅片產能將迎來里程碑式跨越——12英寸拋光片月產能突破45萬片，另有15萬片產線處于新建階段。

在產品矩陣方面，中欣晶圓涵蓋12英寸輕摻拋光片（硼/磷摻雜）、12英寸重摻拋光片（硼/紅磷/砷/銻摻雜）、8英寸輕摻拋光片（硼/磷摻雜）、8英寸重摻拋光片（硼/紅磷/砷/銻摻雜）全系列，這些產品可作為外延片、SOI硅片的襯底材料，還廣泛應用于傳感器、模擬芯片、分立器件/功率器件、射頻前端芯片等半導體器件。

滬硅產業(yè)：百億投資升級，子公司專業(yè)化分工

滬硅產業(yè)擬投資約132億元建設“集成電路用300mm硅片產能升級項目”，該項目分太原項目與上海項目兩部分實施，建成后將在現有產能基礎上新增60萬片/月，使300mm硅片總產能達到120萬片/月。

為提升效率與技術轉化能力，滬硅產業(yè)通過與多個合資方共同出資，逐級設立控股子公司：二級子公司上海新昇晶科半導體科技有限公司負責300mm切磨拋產線建設，三級子公司上海新昇晶睿半導體科技有限公司承擔300mm單晶硅棒晶體生長研發(fā)與拉晶產線建設，實現研發(fā)與生產環(huán)節(jié)的專業(yè)化分工。

當前，國內12英寸硅片企業(yè)仍處于“投資期、建設期、產能爬坡期”三階段疊加狀態(tài)，面臨產品競爭力不足、半導體行業(yè)周期性波動影響、高端技術瓶頸制約等多重挑戰(zhàn)，與國際領先企業(yè)在產業(yè)規(guī)模、技術水平、盈利能力上仍有較大差距。

04 中低端突破顯著，高端領域持續(xù)追趕

目前，我國在12寸硅片領域的中低端技術突破顯著，部分產品達國際水平。

28nm 邏輯芯片硅片量產：國內企業(yè)已實現 28nm 邏輯芯片用硅片的量產，產品缺陷密度接近國際主流水平，滿足中端制程芯片制造需求；

12 英寸 BCD 硅片技術突破：中欣晶圓自主研發(fā)的 12 英寸輕摻 BCD 硅片產品取得技術突破，良率達到行業(yè)先進水平，已通過國內外客戶驗證并實現規(guī)模量產，填補國內該領域技術空白；

設備與材料國產化率提升：有研硅總經理張果虎表示，目前 8 英寸硅片從裝備到材料已基本實現國產化；12 英寸半導體硅片領域，70% 的設備、70%-80% 的材料已完成國產化，剩余環(huán)節(jié)的國產化進程正在加速推進，預計全部國產化所需時間將大幅縮短。

但當前高端制程仍存瓶頸，行業(yè)標準待完善。

7nm 以下制程差距：在 7nm 及以下先進制程硅片領域，國內企業(yè)在平整度控制、缺陷率管控等關鍵技術指標上與國際廠商仍存在顯著差距，難以滿足高端芯片制造需求；

檢測設備與行業(yè)標準制約：盡管國內檢測設備技術突破較快，但部分高端檢測設備仍依賴進口；同時，由于國內早期長期使用國外檢測設備與行業(yè)標準，導致當前在標準對接與認證上存在一定壁壘，影響國產硅片進入高端供應鏈的速度。

大硅片的突破，必然是整體產業(yè)鏈的突破。目前，國內 12 英寸硅片產業(yè)仍面臨產業(yè)鏈協同難題，部分關鍵材料和設備仍依賴進口，不僅推高生產成本，也導致國內企業(yè)的“后發(fā)優(yōu)勢” 難以充分發(fā)揮。好在相關企業(yè)也有所進展，比如電子級三氯氫硅產品已通過國內12寸大硅片龍頭生產企業(yè)的上線測試；晶盛機電也表示，在半導體集成電路裝備領域，公司實現半導體8-12英寸大硅片設備的國產化，并延伸拓展至芯片制造和先進封裝領域。

有研硅總經理張果虎表示，這幾年8英寸硅片從裝備到材料，基本上可以國產化了?，F在12英寸半導體硅片，百分之七十的設備、百分之七八十的材料，都已國產化。全部國產化時間不會太長。可能還有一些檢測設備需要進口，但國內現在突破也非?？臁，F在很多還是行業(yè)標準問題，因為我們先用了國外的檢測設備，用了國外的行業(yè)標準。

05 結語

12 英寸硅片作為集成電路產業(yè)的關鍵基礎材料，直接關系我國半導體產業(yè)鏈的安全與自主可控，符合國家產業(yè)政策與經濟發(fā)展戰(zhàn)略。當前，國內 12 英寸硅片產業(yè)正處于 “擴產提速、技術突破、產業(yè)鏈協同” 的關鍵階段，盡管面臨國際競爭壓力與技術瓶頸，但在政策支持、市場需求、企業(yè)努力的多重驅動下，國產化率與競爭力正逐步提升。

未來，隨著國內產能持續(xù)釋放、高端技術逐步突破、產業(yè)鏈協同不斷加強，國產 12 英寸硅片有望在中低端市場實現全面替代，并在高端市場逐步打破國際壟斷，為我國半導體產業(yè)的高質量發(fā)展奠定堅實基礎。

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