編者按：本文來自微信公眾號半導(dǎo)體行業(yè)觀察（ID：icbank），作者：邵逸琦，創(chuàng)業(yè)邦經(jīng)授權(quán)轉(zhuǎn)載。

春天的腳步臨近，但存儲廠商們還在過冬。

上一個冬天其實并不算遙遠(yuǎn)，從2021年第三季度開始，包括 NAND 和 DRAM 在內(nèi)的存儲市場都遭受了重創(chuàng)，DRAM 價格下跌了 57%，而 NAND 價格同期下跌了 55%，供應(yīng)商的生產(chǎn)過剩和市場的需求衰退引發(fā)了價格暴跌。

而從2023年下半年開始，存儲市場出現(xiàn)了一定程度的回暖，尤其是伴隨著AI的火熱，HBM成為了AI芯片不可或缺的存儲產(chǎn)品，幫助DRAM市場迅速走出冬天。

但溫暖的季節(jié)并未持續(xù)太久，隨著時間來到2025年初，存儲市場似乎迎來了另一個冬天。

NAND出現(xiàn)暴跌？

NAND廠商的日子這兩年一直不太好過，同時生產(chǎn)DRAM的三星、海力士和美光還能靠著HBM喘一口氣，而只做NAND的鎧俠和西部數(shù)據(jù)就有點難受了。

回溯2022年NAND市場的大幅下滑，其中部分原因是疫情。當(dāng)人們開始在家工作時，推動了消費電子產(chǎn)品的繁榮，隨后大型數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)商的基礎(chǔ)設(shè)施也進(jìn)行了更新，來支持這一轉(zhuǎn)變，這一時期可以被稱作是超大規(guī)模企業(yè)的快速擴(kuò)張期。

而在快速擴(kuò)張過后，很快迎來了緊縮期，超大規(guī)模企業(yè)在 2022 年底至 2023 年期間通過數(shù)據(jù)縮減等方式提高利用率，從現(xiàn)有資產(chǎn)中獲取了盡可能多的價值，而在2023 年這部分企業(yè)購買的閃存比 2022 年減少了 54%。與此同時消費者對 NAND 的需求也在下降。

值得關(guān)注的是，NAND 行業(yè)在此期間并沒有肆意增加供應(yīng)量，因此供大于求的主要原因是需求的衰退，最終NAND供應(yīng)商只能通過減產(chǎn)來應(yīng)對，其中鎧俠減產(chǎn)幅度高達(dá) 30%，三星的減產(chǎn)幅度更是高達(dá) 50%。

NAND廠商的營業(yè)利潤率和毛利率在這一年均為負(fù)數(shù)，創(chuàng)下了凈虧損的新紀(jì)錄，甚至可能是有史以來最糟糕的一年。

這也讓鎧俠和西部數(shù)據(jù)這樣專注NAND的廠商開始尋找出路，例如此前再次談起的兩家合并，以及鎧俠單獨上市等，甚至在NAND上相對薄弱的SK海力士也進(jìn)行了相應(yīng)調(diào)整，宣布收購而來的Solidigm退出消費業(yè)務(wù)。

對于NAND廠商來說，經(jīng)歷了2023年的暴跌之后，2024是調(diào)整和恢復(fù)元氣的一年，但壞消息總是接踵而至。

根據(jù)TrendForce的報告，目前NAND閃存庫存過剩正給供應(yīng)商帶來財務(wù)壓力。該機構(gòu)表示，2025年的增長率預(yù)測已從30%下調(diào)至10%-15%。

“為了抑制位供應(yīng)增長，NAND閃存制造商已采取更果斷的減產(chǎn)措施，縮減全年產(chǎn)量。這些措施旨在迅速緩解市場失衡，并為價格復(fù)蘇奠定基礎(chǔ)?！盩rendForce指出。

Gartner的總監(jiān)級分析師兼技術(shù)產(chǎn)品負(fù)責(zé)人Shrish Pant預(yù)計，2025年上半年NAND閃存價格仍將低迷，但由于AI服務(wù)器需求持續(xù)增長，他預(yù)計SSD的位出貨量將在下半年增加。

“供應(yīng)商目前正全力以赴地控制供應(yīng)，這將推動2025年下半年價格回升。從長期來看，AI需求將繼續(xù)推動更大容量和更高性能SSD的需求。”Pant表示。

Pant在接受采訪時提到，存儲市場具有季節(jié)性特點：“采購模式意味著NAND閃存價格將保持周期性波動，取決于超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的采購行為?！?/p>

而根據(jù)存儲分銷商Memphis Electronic在LinkedIn上的一篇帖子，閃存價格已連續(xù)四個月下跌，主要受智能手機和筆記本電腦制造商等關(guān)鍵買家采購下降的影響，這些廠商被認(rèn)為是NAND閃存的主要消費群體。

值得一提的是，PC市場自疫情以來一直表現(xiàn)疲軟，該市場在2021年達(dá)到3.5億臺的出貨高峰后便持續(xù)下滑，盡管有Windows 10停止支持以及AI PC的出現(xiàn)，但都未能重新激發(fā)消費者興趣。2024年，PC市場的全球出貨量同比增長僅為1%，達(dá)到2.622億臺。

而根據(jù)Canalys的數(shù)據(jù)，2024年智能手機市場反而表現(xiàn)相對較好，全球出貨量同比增長7%，達(dá)到12.2億部。

去年年底，SK海力士在財報電話會議上警告稱：“盡管企業(yè)級SSD需求穩(wěn)健，但由于PC和移動客戶的采購需求疲軟，銷售位增長環(huán)比下降了十幾個百分點?！标P(guān)于近期的生產(chǎn)計劃，該公司補充道：“對于NAND，我們將繼續(xù)專注于技術(shù)迭代，而不是提升產(chǎn)能，直到行業(yè)庫存被充分消化?！?/p>

美光也在去年9月的第四季度財報電話會議上表示：“我們對2024年和2025年整個行業(yè)NAND位需求增長的展望已下調(diào)至低雙位數(shù)百分比，這低于我們此前的預(yù)期?！逼鋵AND出貨量增長放緩歸因于消費設(shè)備需求疲軟、各終端市場的持續(xù)庫存調(diào)整，以及“在經(jīng)歷了多個季度的快速增長后，客戶對數(shù)據(jù)中心SSD的短期采購放緩?！?/p>

美光表示，2024年和2025年行業(yè)NAND增長預(yù)期的下滑意味著“供應(yīng)端需要采取相應(yīng)措施來實現(xiàn)平衡”。不過，該公司仍預(yù)計，由于AI工作負(fù)載的增長，長期來看，NAND作為首選存儲方式的需求將持續(xù)上升。

盡管AI帶動了企業(yè)級SSD的需求增長，但消費市場的疲軟，讓NAND廠商完全樂觀不起來，就目前而言，幾家廠商都在專注于提升技術(shù)而非擴(kuò)產(chǎn)。

DRAM不容樂觀

相較于NAND，DRAM市場表現(xiàn)相對好一些，但價格下跌也是免不了的。

根據(jù)去年年底TrendForce的預(yù)測，DRAM 市場將在 2025 年第一季度迎來明顯價格下跌，其中 PC、服務(wù)器和 GPU VRAM 領(lǐng)域預(yù)計將出現(xiàn)大幅下滑。

其指出，在 PC DRAM 市場，價格預(yù)計將下降 8-13%。這一下降主要是由于消費者需求疲軟和 DDR4 內(nèi)存模塊供應(yīng)過剩。中國制造商增加了 DDR4 產(chǎn)量，進(jìn)一步飽和了市場并給價格帶來了額外壓力。雖然 DDR5 的采用率正在穩(wěn)步增長，但尚未達(dá)到抵消上一代 DDR4 模塊供應(yīng)過剩所需的規(guī)模。因此，PC 制造商正在利用較低的價格來增加庫存，盡管他們非常謹(jǐn)慎，以避免在需求不確定的情況下出現(xiàn)庫存過剩。

服務(wù)器 DRAM 價格預(yù)計也將下降，但降幅小于 PC DRAM，預(yù)測降幅為 5-10%。從 DDR4 到 DDR5 和高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的持續(xù)過渡繼續(xù)影響著服務(wù)器 DRAM 市場。主要供應(yīng)商正在將生產(chǎn)能力從 DDR4 重新分配到更新的技術(shù)，以滿足數(shù)據(jù)中心和 AI 應(yīng)用日益增長的需求。然而，DDR4 內(nèi)存的供應(yīng)過剩，加上企業(yè)客戶的謹(jǐn)慎采購策略，導(dǎo)致價格受到抑制。雖然 DDR5 的采用率正在增長，但其目前的使用量仍不足以抵消 DDR4 的供應(yīng)過剩。

在 GPU VRAM 領(lǐng)域，價格預(yù)計將下跌 5-10%，主要原因是需求低迷和庫存水平上升。盡管部分產(chǎn)能已轉(zhuǎn)向 HBM，尤其是用于 AI 和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的高性能 GPU，但對傳統(tǒng)圖形 DRAM 的需求仍然疲軟。游戲和專業(yè)圖形市場尚未從高庫存水平和消費者需求疲軟的時期完全恢復(fù)，導(dǎo)致 GPU VRAM 價格持續(xù)下跌。

DRAM廠商在2023年初時也經(jīng)歷了價格大幅下跌，僅第一季度 DRAM 成本就下降了 20%。

到 2024 年，盡管下跌速度有所放緩，但市場仍面臨挑戰(zhàn)。具體表現(xiàn)為庫存水平高，消費電子、游戲和數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵領(lǐng)域的需求依然疲軟。此外，DDR5 和 HBM 等較新內(nèi)存技術(shù)的緩慢采用導(dǎo)致老一代 DRAM 模塊長期過剩，進(jìn)一步導(dǎo)致價格不穩(wěn)定。

隨著 2025 年的到來，這些挑戰(zhàn)沒有立即得到解決的跡象，反而有進(jìn)一步加重的跡象。

這一點也促使DRAM廠商做出更多改變。

早在去年11月，SK海力士就計劃在 2024 年第四季度之前將其傳統(tǒng) DRAM 產(chǎn)量減少至 20%，該公司將重新分配資源，以滿足對 AI 專用內(nèi)存和先進(jìn) DRAM 產(chǎn)品日益增長的需求。報告指出，SK海力士一直在穩(wěn)步縮減DDR4產(chǎn)量，將產(chǎn)量從2024年第二季度的40%減少到第三季度的30%，并計劃在第四季度減少到20%。

而據(jù)日經(jīng)新聞報道，由于需求疲軟導(dǎo)致價格下跌，三星、SK 海力士和美光正在轉(zhuǎn)向 DDR5 和高帶寬內(nèi)存 (HBM)，并可能在 2025 年逐步淘汰 DDR3 和 DDR4，預(yù)計未來將專注于先進(jìn)的內(nèi)存技術(shù)。

消息人士表示，三大 DRAM 制造商可能會在 2025 年底前停止生產(chǎn) DDR3 和 DDR4。此舉可能會導(dǎo)致 2025 年夏季后出現(xiàn)供應(yīng)短缺，一位關(guān)鍵零部件分銷商指出，預(yù)計停產(chǎn)可能會導(dǎo)致嚴(yán)重的供應(yīng)限制，挑戰(zhàn)市場動態(tài)并影響定價策略。

根據(jù)inSpectrum的數(shù)據(jù)顯示，在市場低迷的情況下，DDR5現(xiàn)貨價格仍持續(xù)上漲，DDR4價格則保持穩(wěn)定，而DDR3現(xiàn)貨價格在過去幾年一直呈下降趨勢。

DRAM廠商把更多精力放在了DDR5和HBM上，尤其是HBM，近兩年在DRAM市場中的份額穩(wěn)步增長，已經(jīng)成為主要的利潤增長點之一。

逃不過去的冬天

在首爾江南區(qū)COEX舉行的“Semicon Korea 2025”新聞發(fā)布會上，市場研究機構(gòu)Gartner副總裁Gaurav Gupta表示：“從長期來看，存儲器行業(yè)無法避免周期性波動。”

據(jù)Gartner數(shù)據(jù)顯示，存儲市場（包括DRAM和NAND閃存）在2022年和2023年分別下滑了13.8%和35.8%。然而，去年受人工智能（AI）投資增長的推動，該市場反彈了71.8%。

Gupta預(yù)測，存儲市場將在2024年增長13.0%，2025年繼續(xù)增長11.6%，但從2025年后，市場將再次進(jìn)入下行周期。不過，AI加速器所需的高價值高帶寬存儲（HBM）預(yù)計將持續(xù)增長至2028年。他預(yù)計，HBM在2023年至2028年間的年均復(fù)合增長率（CAGR）將達(dá)到62%。

他指出，在整體DRAM收入中，HBM的占比預(yù)計將從2024年的13.6%上升至2028年的30.6%。整體來看，結(jié)合邏輯芯片和存儲芯片的全球半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計將從2023年的6260億美元增長至2028年的8294億美元，并在2030年至2031年間突破1萬億美元大關(guān)。

特別是在服務(wù)器、AI加速器、高性能計算（HPC）和汽車領(lǐng)域，半導(dǎo)體的應(yīng)用預(yù)計將大幅增長。而由于半導(dǎo)體銷售額與云計算服務(wù)提供商（CSP）的資本支出（CAPEX）密切相關(guān)，預(yù)計CSP的投資將持續(xù)增長至2026年。

國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會（SEMI）高級總監(jiān)Clark Tseng表示：“全球七大CSP的資本支出從2018年的800億美元增長至2023年的2000億美元，并預(yù)計在2024年超過2500億美元。”

他還預(yù)測，服務(wù)器在整體半導(dǎo)體市場中的占比將從2024年的24%增加到2030年的34%。此外，他表示，預(yù)計韓國半導(dǎo)體制造商將在2026年后減少對DRAM的投資，并大幅增加對NAND閃存的投資。

從數(shù)據(jù)中不難看出，DRAM市場的主要增長動力就來自于HBM和服務(wù)器產(chǎn)品，NAND也大抵如此，巨頭們大量興建數(shù)據(jù)中心，讓存儲市場比預(yù)計中更早實現(xiàn)了回暖，但冬天也比預(yù)計來的更早一些。

這也就是說，如果消費電子領(lǐng)域遲遲未出現(xiàn)明顯增長點的話，DRAM和NAND市場就很難保持穩(wěn)定增長而不出現(xiàn)下滑，僅靠服務(wù)器這一個領(lǐng)域的繁榮，難以支撐起整個市場。

更何況，服務(wù)器端的需求也并非一直高歌猛進(jìn)，此前Futurum Group半導(dǎo)體副總裁兼業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Richard Gordon針對數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的存儲需求指出：“除了SSD的庫存調(diào)整外，由于AI半導(dǎo)體出口管制及其他地緣政治問題帶來的不確定性，數(shù)據(jù)中心HBM的短期需求也將放緩?！?/p>

而廠商們在這種情況下的唯一出路就是往更高端走，通過贏取更高的利潤來消弭市場價格波動的影響。

Gordon表示：“市場環(huán)境將有所改善，存儲廠商將加速向先進(jìn)制程和高端技術(shù)（如HBM3、HBM4、DDR5、LPDDR和堆疊芯片等）轉(zhuǎn)移，這將消耗大量產(chǎn)能，并減少傳統(tǒng)/常規(guī)產(chǎn)品的產(chǎn)出。目標(biāo)是優(yōu)化產(chǎn)出結(jié)構(gòu)，并更好地控制平均售價（ASP）?！?/p>

“不過，存儲市場的格局正在發(fā)生變化?！盙ordon補充道，“它正從一個競爭激烈、高度周期性、波動劇烈的商品化市場，轉(zhuǎn)向一個更加專業(yè)化、高端化的市場。供應(yīng)商數(shù)量減少，技術(shù)壁壘提高，使得企業(yè)能夠更好地掌控供應(yīng)和定價。此外，從中期來看，AI數(shù)據(jù)中心的需求似乎仍然無比旺盛?！?/p>

寫在最后

2025年全球存儲市場正經(jīng)歷一場由AI驅(qū)動的結(jié)構(gòu)性變革，DRAM與NAND領(lǐng)域加速向高附加值技術(shù)全面傾斜。隨著傳統(tǒng)市場需求疲軟及價格持續(xù)承壓，三星、SK海力士、美光等頭部廠商紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM、DDR5、LPDDR5等高端產(chǎn)品，試圖通過技術(shù)升級重構(gòu)行業(yè)競爭壁壘。

HBM3E憑借AI算力需求的爆發(fā)成為市場核心增長點，其產(chǎn)出預(yù)計在2025年翻倍，但高昂的晶圓消耗與低良率也導(dǎo)致傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能被大幅擠占。與此同時，DDR5在服務(wù)器與PC市場的滲透率突破50%，進(jìn)一步壓縮了DDR4等成熟制程的生存空間，迫使廠商通過減產(chǎn)、停產(chǎn)低端產(chǎn)品優(yōu)化產(chǎn)能結(jié)構(gòu)。

不論是DRAM廠商還是NAND廠商，都不免在新的冬天里掙扎沉浮，但它們或多或少，都已經(jīng)明確了自己的目標(biāo)，那就是放棄價格戰(zhàn)與頻繁調(diào)整庫存，轉(zhuǎn)而構(gòu)筑更強大的技術(shù)壁壘。

展望未來，存儲行業(yè)的“專業(yè)化”趨勢將愈發(fā)清晰，傳統(tǒng)存儲依舊存在，但市場中的主角只會是那些把握住市場風(fēng)向，真正在技術(shù)上領(lǐng)先的廠商。

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